Газета 'Промышленные ведомости'
Главная Подшивка Подписка Редакция Партнерство Форум
«ПВ» , 0  -  cодержание номера 

45-нанометровая микросхема Intel

Недавно корпорация Intel объявила о создании первой в мире полнофункциональной микросхемы статической памяти SRAM емкостью 153 МБ, изготовленной по 45-нанометровой технологии. Intel первой в мире в ноябре 2003 года создала микросхемы SRAM с использованием 65-нанометровой технологии. В настоящее время по этой технологии уже работают две фабрики в штатах Аризона и Орегон, еще две — в Ирландии, а в штате Орегон вступят в строй в этом году.

Эти факты подчеркивают лидерство Intel в технологической и производственной сферах, — подчеркнул Билл Хоулт, вице-президент и главный менеджер подразделения Technology and Manufacturing Group корпорации. —Intel славится богатой историей технологических инноваций, внедрение которых приносит ощутимую пользу людям. Наша 45-нанометровая технология обеспечит базу для производства ПК с улучшенным соотношением производительности на один ватт потребленной электроэнергии, которые принесут новые возможности для пользователей».

45-нанометровая технология позволит выпускать микросхемы, ток утечки в которых снижен более чем в пять раз по сравнению с микросхемами, выпускающимися сейчас. Это позволит увеличить время автономной работы мобильных устройств, а также открыть новые возможности для создания компактных платформ с расширенной функциональностью. Кроме того, более чем на 20% возрастет скорость переключения транзисторов.

Основой процесса является 20-нанометровый транзистор, первый образец которого был создан специалистами Intel в 2001 году. Использование таких транзисторов позволит довести рабочую частоту микросхем до 20 ГГц, а рабочее напряжение снизить до 1 В и менее.
Микросхема статической памяти емкостью 153 МБ, изготовленная по 45-нанометровой технологии, содержит более 1 млрд. транзисторов. Ее площадь составляет 0,346 кв. микрона, что менее половины площади аналогичной микросхемы, изготовленной по технологии 65 нанометров.

Дальнейшим направлением развития ученые Intel видят в переходе к формированию транзисторов с металлическим затвором и диэлектриком с высокой диэлектрической проницаемостью (так называемый High-K материал). Ожидается, что эта технология будет внедрена в серийное производство в 2007 году. К этому же году ожидается переход к использованию в производстве 300-мм пластин.

Основой серийного производства по новой технологии станут новые фабрики, изначально ориентированные на использование 45-нанометрового процесса. Помимо фабрики D1D в штате Орегон, где начиналось его освоение, Intel строит аналогичную фабрику Fab 32 в штате Аризона. В декабре 2005 года Intel объявила о начале строительства 45-нанометровой Fab 28 в г. Кирьят-Гат в Израиле. Предприятие стоимостью $3,5 млрд. рассчитано на использование 300-мм пластин. Ожидается, что серийное производство на нем начнется во второй половине 2008 года.

CNews.ru






Другие статьи номера «ПВ» , 0

Главная Подшивка Подписка Редакция Партнерство Форум
  © Промышленные ведомости  
Rambler's Top100